硅基（001）取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb（Zr,Ti）O3薄膜的制备及其铁电性能研究

被引：1
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作者：
张程浩
狄杰建
谭培培
李明勇
赵全亮
谭晓兰
王大伟
机构：
[1] 北方工业大学机械与材料工程学院
来源：
人工晶体学报 | 2016年 / 45卷 / 08期
基金：
北京市自然科学基金;
关键词：
锰铌锆钛酸铅; 镍酸镧; 铁电性能; 磁控溅射;
D O I：
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2016.08.012
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ; 1406 ;
摘要：
采用磁控溅射法在LaNiO3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.52Ti0.48)O3（PMnN-PZT）铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究。结果表明,该铁电薄膜呈（001）高度择优取向,取向度高达98%。经过1010次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在10～4s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化。该结果说明LaNiO3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能。
引用
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页码：2056 / 2060
页数：5
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