850nm VCSEL外延材料设计与生长

被引：0

作者：

肖繁彬

王彦照

宁吉丰

张岩

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第十三研究所

来源：

中国标准化 | 2021年 / S1期

关键词：

850nm VCSEL; MOCVD; 外延; 芯片;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

摘要：

直腔面发射激光器(VCSEL)具有边发射半导体激光器不可比拟的优点,作为最早商业化的VCSEL器件,850nm VCSEL目前的应用领域已经相当广泛,但国内目前该领域仍处于起步状态,本文对850nm VCSEL外延材料各部分进行了分析和设计,并通过PICS3D(Photonic Integrated Circuit Simulator in 3D)等工具对于850nm VCSEL外延材料结构进行了模拟,用金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长出了完整的材料结构,并对于材料测试结果和芯片测试结果进行了分析。

引用

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