An ion-gating synaptic memristor based on tri-layer HfOx composition regulation (vol 13, pg 5326, 2025)

被引：0

作者：

Zou, Lanqing ^{[1
]}

Zhang, Junming ^{[1
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Yi, Yunhui ^{[1
]}

Ren, Jiawang ^{[1
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Sun, Huajun ^{[1
,2
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Zhu, Chuqian ^{[1
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Xu, Jiyang ^{[1
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Hu, Sheng ^{[1
,3
]}

Ye, Lei ^{[1
,2
]}

Cheng, Weiming ^{[1
,2
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He, Qiang ^{[1
,2
]}

Miao, Xiangshui ^{[1
,2
]}

机构：

[1] Huazhong Univ Sci & Technol, Hubei Engn Res Ctr Microelect, Sch Integrated Circuits, Hubei Key Lab Adv Memories, Wuhan 430074, Peoples R China

[2] Hubei Yangtze Memory Labs, Wuhan 430205, Peoples R China

[3] Wuhan Xinxin Semicond Mfg Corp, Wuhan 430205, Peoples R China

来源：

关键词：

D O I：

10.1039/d5tc90053k

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页数：1