NON-EQUILIBRIUM EXCITON PHASE IN THE HIGH DENSITY REGIME OF A DIRECT-GAP SEMICONDUCTOR.

被引:0
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作者
Fehrenbach, G.W.
Schaefer, W.
Treusch, J.
Ulbrich, R.G.
机构
关键词
D O I
暂无
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学科分类号
摘要
SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE
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页码:303 / 305
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