DUAL-GATE GaAs MESFETs: A LOW-NOISE ALTERNATIVE TO MOSFETs AT 1000 MHz.

被引:0
|
作者
Weitzel, C.W.
Paulson, W.
Scheitlin, D.
Vaitkus, R.
机构
来源
| 1600年 / 23期
关键词
DUAL GATE GAAS MESFETS;
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
引用
收藏
相关论文
共 50 条