SPACE CHARGE REGION RELAXATION IN AN EXTRINSIC SEMICONDUCTOR, TAKING ACCOUNT OF RECAPTURE OF GENERATED CARRIERS.

被引:0
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作者
Abagyan, S.A.
Kostanyan, G.G.
机构
来源
Soviet physics. Semiconductors | 1984年 / 18卷 / 07期
关键词
D O I
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