可接受掺杂比对掺杂晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响

被引：0

作者：

姬广举 ^{[1
]}

尹伊 ^{[2
]}

黄金哲 ^{[1
]}

沈涛 ^{[1
]}

机构：

[1] 哈尔滨理工大学应用科学学院

[2] 黑龙江省水利工程技术学校

来源：

哈尔滨理工大学学报 | 2007年 / 06期

基金：

黑龙江省自然科学基金;

关键词：

可接受掺杂比; 相位匹配; AgGa1-xInxSe2;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程,给出了光学二次谐波产生(SHG)和Nd3+:YAG(1.06μm)与Ho3+:ILF(2.08μm)激光泵浦光学参量振荡器(OPO)的调谐曲线可接受掺杂比.该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用.

引用

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