Magnetization Switching in Atom-Thick Mo Engineered Exchange Bias-Based SOT-MRAM (vol 14, 2350023, 2024)

被引：0

作者：

Zhao, Dongyan ^{[1
]}

Chen, Yanning ^{[1
,2
]}

Chen, Zanhong ^{[3
]}

Pan, Cheng ^{[2
]}

Shao, Jin ^{[1
]}

Du, Ao ^{[3
]}

Cai, Wenlong ^{[3
]}

Cao, Kaihua ^{[3
]}

Fu, Zhen ^{[2
]}

Shi, Kewen ^{[3
]}

机构：

[1] Beijing Smart Chip Microelect Technol Co Ltd, Natl & Local Joint Engn Res Ctr Reliabil Technol E, Beijing 102200, Peoples R China

[2] Beijing Chip Identificat Technol Co Ltd, Beijing 102200, Peoples R China

[3] Beihang Univ, Fert Beijing Inst, Sch Integrated Circuit Sci & Engn, MIIT Key Lab Spintron, Beijing, Peoples R China

来源：

基金：

中国国家自然科学基金;

关键词：

D O I：

10.1142/S2010324724920012

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页数：1