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- [10] 温差电转换及其应用[M]. 兵器工业出版社 , (英)D.M.Rowe编著, 1996
MnSi1.7半导体薄膜材料研究进展
被引：1
|作者：
赵伟
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侯清润
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陈宜保
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何元金
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机构：
[1] 清华大学物理系
来源：
关键词：
MnSi1.7半导体薄膜;
温差发电;
综述;
红外探测器;
掺杂;
纳米尺寸;
D O I：
10.13922/j.cnki.cjovst.2008.06.019
中图分类号：
TN304.055 [];
学科分类号：
摘要：
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述。与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点。另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件。掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法。通过对薄膜进行掺杂,可以获得p型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV.K-1。
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