PROPERTIES OF P-TYPE GE-CD-SB IRRADIATED WITH FAST ELECTRONS AT 300-DEGREES-K

被引:0
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作者
MAMONTOV, AM
BARYSHEV, NS
机构
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1979年 / 13卷 / 04期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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