A BACKSCATTERING-CHANNELING STUDY OF THERMALLY GROWN NITRIDE FILMS ON SILICON

被引：4
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作者：
TATSUTA, S
NISHI, H
ITO, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1982年 / 21卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.21.L113
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L113 / L115
页数：3
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