ANALYSIS OF THE CONDITIONS OF SMALL-ANGLE BOUNDARY APPEARANCE IN THE PROCESS OF SILICON SINGLE-CRYSTALS GROWING BY THE CZOCHRALSKI METHOD

被引:0
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作者
VORONOV, IN
SMIRNOV, VA
EIDENZON, AM
机构
来源
KRISTALLOGRAFIYA | 1979年 / 24卷 / 06期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O7 [晶体学];
学科分类号
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要
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页码:1259 / 1265
页数:7
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