ION-BOMBARDMENT-ENHANCED ETCHING OF SILICON

被引：40
|
作者：
GIBBONS, JF
HECHTL, EO
TSURUSHIMA, T
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1969年 / 15卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1652928
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：117 / +
页数：1
相关论文
共 50 条
12345