THRESHOLD DEPENDENCE ON ACTIVE-LAYER THICKNESS IN INGAASP-INP DH LASERS

被引：59
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作者：
NAHORY, RE
POLLACK, MA
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1978年 / 14卷 / 23期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19780491
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
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