EFFECT OF UNIAXIAL STRESS ON BINDING OF EXCITONS TO ISOELECTRONIC IMPURITIES IN GAP

被引:0
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作者
MERZ, JL
BALDERES.A
SERGENT, AM
机构
来源
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
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页码:233 / &
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共 50 条