EFFECTS OF ANNEALING ON LIFETIME AND DEEP-LEVEL PHOTOLUMINESCENCE IN SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE

被引：16
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作者：
HAEGEL, NM
WINNACKER, A
LEO, K
RUHLE, WW
GISDAKIS, S
机构：
[1] SIEMENS AG,RES & DEV LABS,D-8520 ERLANGEN,FED REP GER
[2] MAX PLANCK INST FESTKORPERFORSCH,D-7000 STUTTGART 1,FED REP GER
[3] SIEMENS AG,RES & DEV LABS,D-8000 MUNICH 80,FED REP GER
来源：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1987年 / 62卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1063/1.339378
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：2946 / 2950
页数：5
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