2-STAGE RECOVERY OF LATTICE DAMAGE INDUCED IN SILICON BY ION-IMPLANTATION BELOW AMORPHIZATION THRESHOLD - ANALYSIS BY SIMULATION OF X-RAY ROCKING CURVES

被引：3
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作者：
FABBRI, R
SERVIDORI, M
ZANI, A
CEMBALI, F
机构：
来源：
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1989年 / 115卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1002/pssa.2211150209
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：437 / 444
页数：8
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