INFLUENCE OF TRANSVERSE MAGNETORESISTANCE ON HALL-EFFECT MEASUREMENTS ON N-TYPE GERMANIUM AND OTHER SEMICONDUCTORS

被引:5
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作者
PARTAIN, LD
LAKSHMINARAYANA, MR
WESTGATE, CR
机构
[1] UNIV DELAWARE,DEPT ELECT ENGN,NEWARK,DE 19711
[2] JOHNS HOPKINS UNIV,DEPT ELECT ENGN,BALTIMORE,MD 21218
关键词
D O I
10.1063/1.323975
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:2570 / 2575
页数:6
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