ANALYSIS OF ELECTRICAL, THRESHOLD, AND TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF INGAASP-INP DOUBLE-HETEROJUNCTION LASERS

被引：33
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作者：
YANO, M
IMAI, H
TAKUSAGAWA, M
机构：
来源：
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS | 1981年 / 17卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1109/JQE.1981.1071310
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：1954 / 1963
页数：10
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