TOROIDAL DEFECT AT THE HETERO-INTERFACE BETWEEN GAAS AND ALXGA1-XAS EPITAXIAL LAYER

被引：1
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作者：
KANEKO, K
NAGASAWA, H
KAJIWARA, K
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1979年 / 47卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(79)90236-7
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
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页数：4
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