DETERMINATION OF THE PARAMETERS OF DEEP LEVELS IN EPITAXIAL GAP-ZN-O FILMS BY FABRICATION OF DOUBLE SURFACE-BARRIER DIODES

被引：0
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作者：
BULYARSKII, SV
ZHELYAPOV, GI
NAGRADOVA, IA
NEVSKII, OB
CHICHULIN, AV
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1981年 / 15卷 / 08期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：965 / 966
页数：2
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共 1 条
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    SHLIKHTOV, SN
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR, 1983, 17 (11): : 1305 - 1307
1